三星明年或将推5/4nm EUV工艺

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9 月4日,三星电子在日本举行了三星晶圆代工论坛2018日本会议。三星高管表示2018 年晚些时候会推出7nm FINFET EUV 工艺,而8nm LPU工艺也会开始风险试产,2019年则会推出5/4nm FINFET EUV 工艺,同时开始18nm FD-SOI 工艺的风险试产,后者主要面向RF射频、EMRAM 等芯片产品。2020 年三星则会推出3nm EUV工艺,同时晶体管结构也会大改,从目前的FINFET 变成GAA 结构,GAA 公认为7nm节点之后取代FINFET晶体管的新一代技术候选。此外,三星还在S3生产线之外建设全新的生产线,这是EUV工艺专用的,计划在2019 年底全面完成,EUV的全面量产计划在2020年完成。

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