1 800 W À 1 GHz POUR UN TRANSISTOR EN GaN SUR SiC

Electronique S - - Actualité Composants - Ph.C.

Sous la ré­fé­rence QPD1025, Qor­vo in­tro­duit un transistor RF de puis­sance apte à dé­li­vrer 1,8 kW ( soit 62,7 dBm, en ré­gime de sa­tu­ra­tion) à 1 GHz et sous une ten­sion de 65 V. Pour ob­te­nir une telle puis­sance, l’amé­ri­cain a fait ap­pel à une tech­no­lo­gie HEMT ni­trure de gal­lium sur car­bure de si­li­cium ( GaN/ SiC). Par rap­port aux LDMOS en si­li­cium, la so­cié­té met en avant un ren­de­ment de drain net­te­ment amé­lio­ré ( jus­qu’à 15 points). Par­mi les autres ca­rac­té­ris­tiques du QPD1025 : un gain li­néaire de 22,5 dB, une fré­quence de fonc­tion­ne­ment com­prise entre 1 et 1,1 GHz et un ren­de­ment en puis­sance ajou­tée de 77,2 % ( va­leur ty­pique). Ce transistor, pré- adap­té à l’en­trée, peut fonc­tion­ner en onde en­tre­te­nue ( CW) ou en ré­gime pul­sé. Pro­po­sé se­lon deux types de boî­tiers à ca­vi­té ( QPD1025, QPD1025L), il cible les ap­pli­ca­tions d’iden­ti­fi­ca­tion ( IFF) et avio­niques en bande L, ain­si que l’ins­tru­men­ta­tion de test.

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