一种改进的基于人体静电冲击模型应力的瞬态功率模型

曹鑫 曹健王艺泽 等

ACTA Scientiarum Naturalium Universitatis Pekinensis - - 目 次 - 1. 北京大学软件与微电子学院, 北京 102600; 2. 北京大学微电子学研究院, 北京 100871; † 通信作者, E-mail: caojian@ss.pku.edu.cn (曹健), zhx@pku.edu.cn (张兴)

摘要 提出一种改进的基于人体静电冲击模型(Human Body Model, HBM)应力的瞬态功率模型。利用HSPICE仿真软件, 模拟MOS管遭受的HBM应力, 得到对应的等效直流电压。HBM电路的预充电电压与MOS管对应的等效直流电压值的散点图表明, 两者保持线性关系, 并通过拉普拉斯变化得到证明。与现有的瞬态功率模型相比, 改进后的模型降低了在HBM应力作用下的计算复杂度, 可以更加简便地从统计学上预测MOS管栅氧击穿的发生, 给HBM冲击作用下MOS管栅氧化层可靠性的评估提供参考。关键词 静电放电; 瞬态功率模型; 栅氧击穿; 人体静电冲击模型中图分类号 TP333

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