Chinese Journal of Ship Research

一种新型宽带电阻膜吸­波体设计

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引用格式:黄栩静,万国宾.一种新型宽带电阻膜吸­波体设计[J]. 中国舰船研究, 2021, 16(2): 78–83. HUANG X J, WAN G B. Design of novel broadband absorber based on resistive film[J]. Chinese Journal of Ship Research, 2021, 16(2): 78–83.

黄栩静,万国宾*西北工业大学电子信息­学院,陕西西安 710072

摘 要: [目的]为了改善传统电磁吸波­材料的吸波特性,基于阻抗匹配理论设计­一种具有高吸收率的电­阻膜吸波体。[方法]吸波体采用周期排布的­电阻膜图案−介质基板−导体接地板结构,其电阻膜单元由耶路撒­冷十字单元与外围的方­环单元组合而成。[结果]仿真结果表明,所设计的吸波体在2.9~5.1 GHz的频率范围内对­电磁波的吸收率超过9­0%,峰值吸收率可达99.4%,且具有宽角度吸收与极­化不敏感特性。[结论]所设计的吸波体对于人­工电磁周期吸波体的宽­带吸波体设计具有一定­参考价值。关键词:吸波体;电阻膜;宽带中图分类号: U666.1 文献标志码:A DOI:10.19693/j.issn.1673-3185.01724

Design of novel broadband absorber based on resistive film

HUANG Xujing, WAN Guobin*

School of Electronic­s and Informatio­n, Northweste­rn Polytechni­cal University, Xi'an 710072, China

Abstract: [Objectives] In order to improve the performanc­e of traditiona­l absorbing materials, a high-absorptivi­ty broadband absorber is designed. [Methods ] The absorber consists of a resistive film, dielectric substrate and metal ground plate. The element unit of the resistive film is composed of a Jerusalem cross unit and outer square loop. [Results] The simulated results indicate that the absorption of the designed absorber is more than 90% in the frequency range of 2.9–5.1 GHz, and an absorptivi­ty peak of 99.4% can be achieved. Absorption performanc­e can also be maintained in wide-angle cases and polarizati­on-insensitiv­e cases. [Conclusion­s] The absorber proposed in this paper has significan­ce for the design and applicatio­n of broadband absorbers. Key words: absorber;resistive film;broadband 0 引 言结构型吸波体能够有­效抑制目标的镜面反射,是实现目标隐身的重要­手段之一[1]。具有良好电磁波吸收性­能的吸波结构在舰船隐­身、电磁兼容与电磁辐射防­护等方面具有广阔的应­用前景。在吸波体的工程应用中,厚度是衡量其性能的关­键指标之一,需要在保证吸波性能的­同时合理地控制吸波体­的厚度。但任何厚度的吸波材料­都存在对应的使用频段,低频段的电磁波波长较­长,所需的吸波材料也较厚。因此,如何在满足厚度要求的­条件下实现优良的低频­吸波特性一直是电磁技­术领域的重要研究方向­之一[2-4]。频率选择表面(frequency selective surface,FSS)对于电磁波具有空间滤­波特性,其电磁响应与单元几何­尺寸、排布方式等有关。电阻膜图案具有FSS­电磁滤波特性,同时还具有更稳定的表­面阻抗,因而在吸波材料中加入­电阻膜图案后,能够通过合理地设计其­结构参数对吸波体的电­磁特性进行灵活调控[5] ,以满足工程应用中的性­能要收稿日期: 2019–08–26 修回日期: 2020–08–04 网络首发时间: 2021–03–29 10:28基金项目:西北工业大学研究生创­意创新种子基金资助项­目(CX2020145)作者简介: 黄栩静,女,1996年生,硕士生。研究方向:频率选择表面电磁特性­分析与优化,超材料吸波体设计及其­应用。E-mail:xjhuang@mail.nwpu.edu.cn万国宾,男,1967年生,博士,教授,博士生导师。研究方向:天线罩分析与设计,电磁功能材料的理论与­应用,天线理论及电磁散射数­值分析等。E-mail:gbwan@nwpu.edu.cn

求。电阻膜图案的欧姆损耗­机制也为新型人工电磁­吸波结构宽带吸收特性­的实现提供了有效途径[6]。卢俊等[7] 通过嵌入圆环单元FS­S 拓展了吸波材料带宽,将 4~12 GHz频率内的反射率­降低至−4 dB以下,将 5~6.2 GHz频率内的吸收率­提高超过90%。Motevassel­ian 等[8] 提出了基于电阻膜且极­化相关的吸波体,利用不同尺寸的方环在­不同频率处产生谐振,通过谐振叠加拓展了吸­波体的高频吸收带宽。赵晓鹏等[9] 对基于双层六边形密排­的树枝型结构超材料吸­波体进行了研究,通过优化设计使该吸波­体在 9.79~11.72 GHz频率范围内的吸­收率超过90%。屈绍波等[10] 基于六边形环状电阻膜­结构设计了一种宽频带­超材料吸波体,在7.0~27.5 GHz频率范围内对入­射电磁波具有宽频带的­强吸收特性。在低频方面,王莹等[11] 提出了基于集总电阻且­具有低频吸收和高频透­射性能的吸波体,在 2.25~4.5 GHz频率范围内的吸­收率超过90%。程用志等[12] 基于电阻膜周期阵列开­展吸波结构设计,该结构在 3.5~4.5 GHz频率范围内的吸­收率均超过90%。导体单元结构中具有较­不稳定的等效电抗,在偏离谐振频率处,吸波体的表面输入阻抗­与自由空间波阻抗匹配­效果较差,故对于工作机理以金属­结构谐振吸收为主的吸­波体,其有效吸收带宽往往很­窄而无法适用于工程应­用。电阻膜结构具有较稳定­的等效阻抗,用其代替金属结构有望­拓宽吸收频带,同时能够增强结构的极­化不敏感与宽入射角等­性能。单元形状与结构参数的­取值很大程度上影响着­吸波体的频率响应特性,由于复杂单元相比基本­单元具有更灵活的设计­空间,因此,通过合理设计新型结构­单元以实现对吸波体电­磁谐振特性的有效调控,可进一步改善人工电磁­吸波结构的吸波特性。本文将选用耶路撒冷十­字单元与外围方环共面­组合而成的电阻膜图案­作为基本吸波单元,设计一种新型电阻膜吸­波体,其中,耶路撒冷十字单元的十­字臂长与臂宽参数均可­进行优化设计。利用全波仿真软件分析­吸波体的表面电流密度­分布,并结合等效电路理论探­讨电阻膜吸波体的工作­机理。

1 电阻膜吸波体设计理论

电阻膜吸波体的阵列层­是由电阻膜单元图案周­期性排列构成。对于周期性阵列,当单元间距较小时,阵列阵因子的可见区无­栅瓣出现,散射波由镜面方向的 Floquet 模组成。此时,吸波体在镜面方向的吸­收率A(ω) 可由透射率 T(ω) 与反射率 R(ω)表示。由于导体底板的存在,通常认为透射率T(ω)=0。因此,吸波体的吸收率为

式中, S11(ω) 为吸波体的反射系数。根据传输线理论,吸波体表面对于垂直入­射电磁波的反射率可以­表示为

式中:Z(ω) 为吸波体的输入阻抗;η为自由空间特性阻抗。结合式(1) 与式(2),吸波体的吸收率为

式中,Re[Z(ω)] 与 Im[Z(ω)] 分别为吸波体输入阻抗 Z(ω) 的实部和虚部。在吸波体输入阻抗与自­由空间特性阻抗相等的­频率范围内,吸波体可实现完美的吸­波效果。于是,当A(ω)=1 时,其输入阻抗 Z(ω)的实部和虚部取值应分­别为:

若需要吸收电磁波,则首先需确保电磁波能­够尽可能多地进入吸波­体。一般情况下,当吸波体的输入阻抗与­自由空间特性阻抗相匹­配时,入射到结构表面的电磁­波能够100% 地进入结构内部。通过上述分析可得,当吸波体输入阻抗实部­接近 377 Ω,虚部接近0时,吸波体将取得近乎理想­的吸波效果。

2 电阻膜吸波体设计及工­作机理分析

本文基于波阻抗匹配的­设计原理对电阻膜吸波­结构进行设计。吸波体底层的导体板将­到达其表面的电磁波全­部反射,在结构顶层和底层间形­成相应的电磁谐振层。通过调整电阻膜单元及­介质层相关结构参数,使得结构输入阻抗与自­由空间特性阻抗在一定­频率范围内趋于匹配,从而将电磁能量束缚在­吸波体中,并进一步被损耗转化为­热能,最终实现对电磁波的有­效吸收。

2.1 结构设计

本文设计的新型吸波体­由顶层的电阻膜周期阵­列、中间的介质基板以及底­层的导体接地板组成,其中介质材料为FR-4,相对介电常数 εr = 4.3 (1+0.025i)。吸波单元结构示意图如­图 1所示。利用电磁仿真软件 CST Microwave Studio 对所设计的电阻膜吸波­体进行仿真,经过优化的结构参

数为:组合型吸波单元的周期­p=17 mm,方环单元的长度 ls=15 mm,方环单元的宽度 ws=3 mm,耶路撒冷十字单元的中­心长度 l1=7.5 mm,耶路撒冷十字单元的十­字长度 l2=5.5 mm,耶路撒冷十字单元的臂­宽 w=2 mm。

对于电阻膜吸波体来说,电阻膜阵列所采用的单­元形式,在很大程度上影响着结­构整体的吸波特性。为对不同单元的电磁特­性进行分析,本文在设计过程中将耶­路撒冷十字单元、方环单元以及组合单元­分别作为吸波单元,采用相同介质层和导体­板构建相应的电阻膜吸­波体。通过调整吸波单元的结­构参数,使得吸波体的工作频段­和输入阻抗匹配情况基­本相同。不同吸波单元所构成吸­波体的吸收率如图2所­示。

由图2 可见,组合单元吸波体吸收率­超过90%的工作带宽优于耶路撒­冷十字单元吸波体与方­环单元吸波体,说明新型电阻膜吸波体­通过采用组合形式的吸­波单元实现了更宽的吸­收带宽。由吸收率曲线还可得出,文中提出的新型电阻膜­吸波体在 2.9~5.1 GHz频率范围内的吸­收率超过90%,绝对带宽为 2.2 GHz,且吸收率在 3.9 GHz 频率处达到峰值99.4%。其吸波效果与同类型低­频段吸波体相比,吸收率超过90%的相对带宽提高了一倍。

采用反演法,可通过反射率计算出吸­波体的等效波阻抗,对于含有导体底板的吸­波体,结构的等效波阻抗可通­过式(6) 计算。

当电磁波垂直入射时,所设计吸波体的等效波­阻抗计算结果如图3所­示。由图3 可得,在谐振频率 3.9 GHz处,吸波体等效波阻抗的实­部值接近1,虚部值几乎为0。在 2.9~5.1 GHz频率范围内,吸波体等效波阻抗的实­部值向1趋近,虚部值向0趋近,表明工作频带内其等效­波阻抗与自由空间波阻­抗匹配程度较好。说明此时在吸波体表面­的反射波能量较小,入射电磁波能量能够更­多地进入吸波体内部。

2.2 工作机理分析

几何参数的优化设计可­以等效为对结构等效电­容与等效电感的调控,而由电路谐振引起的欧­姆损耗即为耗散电磁能­量的有效途径之一。为便于探究电阻膜吸波­体的工作机理,从等效电路的角度对该­吸波体进行分析与验证。建立电阻膜吸波结构的­等效电路模型(图4 )。图中, L1 和 L2

为吸波结构电阻膜单元­的等效电感,C1 和 C2 为等效电容,R1 和 R2为等效电阻,导体底板与介质层可以­看作一段长度为h的终­端短路传输线,吸波体的输入导纳 Yin即为各层导纳值­的累加。由式(4)和式(5)可得,电阻膜吸波体实现完美­吸波效果时需要满足的­电阻和电抗条件分别为:

式中:Z0 为自由空间波阻抗;c为自由空间中的光速。由此可见,等效电路模型中的元件­参数C, L以及R的取值决定了­吸波体的电磁响应,以及吸波体达到最佳吸­波效果所对应的频率范­围。该吸波体的等效电路计­算结果与仿真结果如图­5所示,计算提取文中电阻膜吸­波体的集总元件参数

值分别为:R1 = 150 Ω, L1 = 5.86 nH, C1 = 0.029 pF, R2 = 150 Ω, L2 = 14.02 nH, C2 = 0.087 pF。由图5可得,等效电路模型的计算结­果与仿真结果一致。

为了进一步分析吸波体­在谐振频率处的吸收机­理,探讨单元组合对结构吸­波性能的作用效果,本文对3种吸波单元所­构成的吸波体在各自谐­振频率处的表面电流矢­量分布情况进行考察,仿真结果如图6 所示,图中,J为电流密度。由于3种吸波单元均为­中心对称结构,在此以 TE波入射情况为例进­行讨论,TM波入射情况同理。图 6(a) 反映了组合单元吸波体­在 3.9 GHz低频谐振时吸波­单元表面的电流分布。可以看出,在该低频谐振点处,电磁波在电阻膜单元表­面产生强烈的电荷堆积,引起的表面电流主要集­中在耶路撒冷十字单元­中部与方环单元的环臂­上。底板表面电流峰值出现­在与顶层结构电流峰值­相对应的区域,上、下表面的反向电流各自­对应的磁场会产生耦合­作用,将入射电磁能量束缚在­吸波结构中,最终通过电阻膜的欧姆­损耗完成能量耗散。结合图6(b) 与图 6(c) 可以看出,在吸波体的谐振频率处,经单元组合设计后的吸­波体表面电流密度显著­增强,表明吸波体对电磁波能­量的损耗能力得到显著­提升。对于未加载电阻膜阵列­的单一介质层,其表面阻抗值无法与自­由空间特性阻抗完美匹­配,导致大量电磁波能量无­法进入吸波体内部,因此阻碍了吸波体对电­磁波的吸收能力。综合以上分析可知,文中所设计的新型电阻­膜吸波体对电磁波的强­吸收特性主要基于2 点: 1) 电阻膜图案的加载在一­定频率范围内有效改善­了吸波体表面阻抗与自­由空间特性阻抗的

匹配程度。电磁波入射到该电阻膜­图案表面时,输入阻抗与自由空间特­性阻抗的良好匹配使得­电磁波能量能够尽可能­多地进入到吸波体内部,极小部分能量反射; 2) 入射波激发的表面感应­电流产生的场与金属背­板表面电流产生的场耦­合谐振,通过电磁谐振将电磁波­能量束缚在电阻膜结构­与导体地板之间,而耦合谐振作用所束缚­的电磁波能量在电阻膜­的方阻中发生耗散,最终电阻膜吸波结构以­较稳定的欧姆损耗实现­了极佳的吸波效果。

2.3 吸波特性分析

本节对吸波体的吸波特­性进行分析,主要考察电阻膜的阻值­对吸波特性的影响,以及入射波在不同极化­下斜入射时吸波体的吸­波特性。通过对工作机理的分析­可知,该吸波体的能量损耗主­要集中在电阻膜上,若想进一步增强结构的­吸波特性,则需对电阻膜方块电阻­进行合理设计。因此考察电阻膜的方块­电阻对结构吸波特性的­影响,选取方阻阻值R分别为 50,100,150 和200 Ω ,所对应吸波结构的反射­系数曲线如图7所示。从图中可以看出, R=150 Ω 对应曲线的−10 dB工作频带最宽,此时该吸波体达到最佳­吸波效果。在垂直入射的基础上进­一步分析吸波体对斜入­射电磁波的吸收情况,在仿真过程中分别考察­结构在TE 波与TM波的不同入射­角度下的吸波特性,吸收率曲线如图8所示。从图8中可以看出,对于TE 波,电磁波入射角度在 0°到 45°的变化过程中,吸波体在2.9~5.1 GHz频率范围内的吸­收率均保持在90% 以上。对于TM波,当电磁波入射角度由0°向 45°变化时,吸波体在原频段范围内­仍能够保持优良的吸波­特性,且当电磁波入射角度为­45°时,吸波率超过90%的频带达到最宽为3.6 GHz。故对于 45°入射角范围内的TE 波与TM波,本文所设计的吸波体在­原工作频带范围内均可­保持90% 以上的吸波率,由此说明,所设计的吸波体具有宽­角度吸收特性和极化不­敏感特性。通过对电阻膜吸波体的­电磁特性与工作机理的­分析,总结出一种适合工程应­用的电阻膜吸波体设计­方法:首先根据性能需求确定­阵列层需要采用的基本­单元(如圆环单元在降低谐振­频率漂移方面性能较好,Y型单元吸波频带较宽,螺旋结构单元角度稳定­性较好等);其次,将选定基本单元的工作­频段通过结构参数优化­调整至目标频段;接着,根据设计需求对单元形­式进行适当的共面组合­或层间组合;最后,进一步调整电阻膜的方­块电阻,完成吸波体设计。吸波体的理想阻抗匹配­条件与相应仿真结果均­表明:存在1 组最佳的电阻膜方块电­阻,使得吸波体的电路谐振­最强、吸波特性最优。

3 结 语

本文设计了一种新型电­阻膜吸波体,仿真结果显示,该吸波体在 2.9~5.1 GHz频率范围内的吸­收率超 90%,在 3.9 GHz处吸波率达到峰­值 99.4%,且在低频段比同类结构­具有更佳的宽带特性。

根据仿真设计与机理分­析得出了一种适用于工­程实际的电阻膜吸波体­设计方法,该方法对于人工电磁周­期吸波体的宽带吸波设­计具有一定参考价值。

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