이재용,반도체협력선봉
한·미‘경제안보’동맹의핵심…신공급망구축돕고中반도체굴기견제
조 바이든 미국 대통령이 지난 20일 방한첫일정으로삼성전자반도체평택캠퍼스를찾았다.윤석열대통령도이곳에서바이든대통령을 처음 만났다. 한·미양국정상 사이에는이재용삼성전자부회장이있었다.
재계는 이한 장면을 두고 이번 한·미정상회담의핵심의제인‘경제안보 동맹’에서반도체가 차지하는 위상을 상징적으로 보여준다고평가한다.미국으로선중국의반도체굴기(崛起)를 견제하는 동시에한국과의협력관계를 삼성전자를 교두보 삼아 공고히 다진셈이다.
바이든 대통령은 ‘바이 아메리칸’ 정책을앞세워, 외국 기업의자국 내생산 제조 시설건립을 촉구하고 있다. 특히 미국은 중국의반도체굴기를 견제하는데있어삼성전자의적극적인동참을 요구하고 있다. 삼성전자와TSMC와의기술동맹을강화해중국의반도체산업성장을제한하려는전략이다.
이부회장은이날 평택캠퍼스에서세계최초로 개발한 3나노미터(㎚·1㎚는 10억분의1m)공정을바이든대통령에게처음공개했다. 3나노 공정은 파운드리분야에서가장 앞선기술로,삼성전자가TSMC보다우위에있다.
삼성전자는 이미 지난해 미국 테일러시에170억 달러투자를 확정, 최첨단 칩을생산하는파운드리공장계획을확정했다.