AJU Business Daily

삼성전자·SK하이닉스,차세대메모리용호상박

삼성,연내에6세대10nm D램양산SK, HBM비중확대·미국공장건립작년보다­66.3%성장…반등이끌듯

- 강일용기자zero@

긴반도체시장 다운턴(불황)이 끝나고 업턴(호황)이 왔다. 삼성전자·SK하이닉스 등 국내양대반도체기업은 올해글로벌빅테크를중­심으로반도체수요가급­증할것으로보고차세대­D램양산과투자계획을­발표하며기술과시장점­유율경쟁에서우위에서­기위한행보를본격화하­고있다.반도체업턴과맞물려국­내소재·부품·장비기업들의생산량도­증가하는 것으로 나타났다. 특히 전자·정밀기기등반도체관련­부품업계의회복세가두­드러진다. <관련기사 3면>

4일 반도체업계에 따르면 삼성전자는연내에업계­최초로 차세대D램인 6세대10㎚(나노미터·D1c) D램양산을시작한다. 6세대 10㎚ D램은 삼성전자가지난 2020년 1세대 10㎚ D램에적용한극자외선(EUV) 공정을 고도화해 D램초미세 회로를 더욱 조밀하게 만든 게특징이다. 초미세회로가조밀해지­면동일한 칩면적에반도체기억소­자를 더많이배치할 수 있어 전보다 데이터 처리 용량을 늘리면서 데이터 전송 속도는더빠른제품을만­들수있다.

삼성전자는 2026년 7세대 10㎚ D램을양산하고 2027년 이후한자릿수나노미터­공정을 적용한 D램을 만들면서PC·서버용 D램 시장 주도권을 이어갈계획이다.

삼성전자는차세대D램­인 3D(3차원) D램을 2025년 중 선보이고, 칩을 12단이상 쌓은 HBM3E(고대역폭메모리) D램을 연내 양산하면서 차세대 D램 기술 확보에도 선두에설 방침이다. 3D D램은 데이터 저장공간인 셀을 수평으로 배치하지않고 수직으로 쌓아 단위면적당데이터용량­을3배이상키운메모리­다. 삼성전자의 3D D램은 현재 최대 36Gb(기가비트)에 머무르고 있는 D램용량을 100Gb 이상으로확장함으로써­대규모 인공지능(AI)과 서비스 운영에강점을보일것으­로기대된다.

경계현 삼성전자 디바이스솔루션(DS) 부문장(대표)은 지난달 말 자신의소셜 서비스에 “삼성전자는 메모리 분야에서지속해서새로­운 혁신을 제공하고 있다”며 “업계 최초로 개발한 12단HBM3E D램은 생성 AI 앱에새로운기회를제공­할것”이라고 밝혔다.

SK하이닉스는 지난해 전체 D램에서 한 자릿수였던 HBM 생산량을 올해두자릿수로확대하­며HBM 시장리더십을 이어갈 계획이다. 이와 함께 38억7000만 달러(약 5조2000억원)를 투자해 미국 인디애나주 웨스트라피엣에HBM­등 AI메모리용첨단 패키징(결합)공장도 건설한다. 2028년 하반기부터운영을시작­하는인디애나공장은차­세대HBM등 AI 메모리제품을양산하는­데특화한시설이다.

이번 투자로 SK하이닉스는 삼성전자·인텔·TSMC처럼 미국반도체산업육성법­에 따른 보조금 지급 대상이 됐다.회사측은“미국정부에보조금지급­신청을했고현재관련절­차를밟고있다”고 밝혔다. 투자 협약 행사에미국 정부대표로 참석한 아라티 프라바카 백악<龍虎相搏=용과호랑이가싸우다>

관 과학기술정책실장(장관급)은 “SK하이닉스같은기업­들의투자가양질의고용­을 창출하고 글로벌 공급망을 강화해나가고있다”고 말했다.

인디애나 공장은 SK하이닉스가HBM 수율을 향상하면서발열을 줄이기위해제조 방식(HBM Package)을 기존 ‘차세대 MR-MUF’에서 ‘하이브리드본딩’으로 전환하는 시험무대가 될 전망이다. 하이브리드본딩이란칩­을쌓을때 전기를 통하게 해주는 전도성 돌기(범프)를 없애고 칩을 바로붙여서데이터 전송 속도와 적층 효율성을 끌어올리는 기술이다. 이를 통해 SK하이닉스는 엔비디아 등 빅테크 고객을 위한 맞춤형D램 제작 역량을 한층 강화할 것으로기대하고있다.

한편시장조사업체가트­너는 2024년전세계반도­체매출은전년보다 16.8%증가한 6240억 달러(약 840조원)를 기록할 것으로 예상했다. 특히 D램·낸드등메모리시장은전­년보다 66.3% 성장하며시장 반등을 이끄는 주역이될것으로전망했­다.

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