삼성전자·SK하이닉스,차세대메모리용호상박

삼성,연내에6세대10nm D램양산SK, HBM비중확대·미국공장건립작년보다66.3%성장…반등이끌듯

긴반도체시장 다운턴(불황)이 끝나고 업턴(호황)이 왔다. 삼성전자·SK하이닉스 등 국내양대반도체기업은 올해글로벌빅테크를중심으로반도체수요가급증할것으로보고차세대D램양산과투자계획을발표하며기술과시장점유율경쟁에서우위에서기위한행보를본격화하고있다.반도체업턴과맞물려국내소재·부품·장비기업들의생산량도증가하는 것으로 나타났다. 특히 전자·정밀기기등반도체관련부품업계의회복세가두드러진다. <관련기사 3면>

4일 반도체업계에 따르면 삼성전자는연내에업계최초로 차세대D램인 6세대10㎚(나노미터·D1c) D램양산을시작한다. 6세대 10㎚ D램은 삼성전자가지난 2020년 1세대 10㎚ D램에적용한극자외선(EUV) 공정을 고도화해 D램초미세 회로를 더욱 조밀하게 만든 게특징이다. 초미세회로가조밀해지면동일한 칩면적에반도체기억소자를 더많이배치할 수 있어 전보다 데이터 처리 용량을 늘리면서 데이터 전송 속도는더빠른제품을만들수있다.

삼성전자는 2026년 7세대 10㎚ D램을양산하고 2027년 이후한자릿수나노미터공정을 적용한 D램을 만들면서PC·서버용 D램 시장 주도권을 이어갈계획이다.

삼성전자는차세대D램인 3D(3차원) D램을 2025년 중 선보이고, 칩을 12단이상 쌓은 HBM3E(고대역폭메모리) D램을 연내 양산하면서 차세대 D램 기술 확보에도 선두에설 방침이다. 3D D램은 데이터 저장공간인 셀을 수평으로 배치하지않고 수직으로 쌓아 단위면적당데이터용량을3배이상키운메모리다. 삼성전자의 3D D램은 현재 최대 36Gb(기가비트)에 머무르고 있는 D램용량을 100Gb 이상으로확장함으로써대규모 인공지능(AI)과 서비스 운영에강점을보일것으로기대된다.

경계현 삼성전자 디바이스솔루션(DS) 부문장(대표)은 지난달 말 자신의소셜 서비스에 “삼성전자는 메모리 분야에서지속해서새로운 혁신을 제공하고 있다”며 “업계 최초로 개발한 12단HBM3E D램은 생성 AI 앱에새로운기회를제공할것”이라고 밝혔다.

SK하이닉스는 지난해 전체 D램에서 한 자릿수였던 HBM 생산량을 올해두자릿수로확대하며HBM 시장리더십을 이어갈 계획이다. 이와 함께 38억7000만 달러(약 5조2000억원)를 투자해 미국 인디애나주 웨스트라피엣에HBM등 AI메모리용첨단 패키징(결합)공장도 건설한다. 2028년 하반기부터운영을시작하는인디애나공장은차세대HBM등 AI 메모리제품을양산하는데특화한시설이다.

이번 투자로 SK하이닉스는 삼성전자·인텔·TSMC처럼 미국반도체산업육성법에 따른 보조금 지급 대상이 됐다.회사측은“미국정부에보조금지급신청을했고현재관련절차를밟고있다”고 밝혔다. 투자 협약 행사에미국 정부대표로 참석한 아라티 프라바카 백악<龍虎相搏=용과호랑이가싸우다>

관 과학기술정책실장(장관급)은 “SK하이닉스같은기업들의투자가양질의고용을 창출하고 글로벌 공급망을 강화해나가고있다”고 말했다.

인디애나 공장은 SK하이닉스가HBM 수율을 향상하면서발열을 줄이기위해제조 방식(HBM Package)을 기존 ‘차세대 MR-MUF’에서 ‘하이브리드본딩’으로 전환하는 시험무대가 될 전망이다. 하이브리드본딩이란칩을쌓을때 전기를 통하게 해주는 전도성 돌기(범프)를 없애고 칩을 바로붙여서데이터 전송 속도와 적층 효율성을 끌어올리는 기술이다. 이를 통해 SK하이닉스는 엔비디아 등 빅테크 고객을 위한 맞춤형D램 제작 역량을 한층 강화할 것으로기대하고있다.

한편시장조사업체가트너는 2024년전세계반도체매출은전년보다 16.8%증가한 6240억 달러(약 840조원)를 기록할 것으로 예상했다. 특히 D램·낸드등메모리시장은전년보다 66.3% 성장하며시장 반등을 이끄는 주역이될것으로전망했다.