JY,첨단반도체파운드리동맹영역넓혔다… TSMC추격에고삐
자이스, EUV특허2000개보유향후장비관련기술협력하기로초미세공정경쟁력강화효과기대
세계 반도체 1위 탈환을 예고한 삼성전자가 발빠른 행보를 보이고 있다.미국에 수십조원 규모의 공장 투자를발표한데이어이재용삼성전자회장이글로벌 공급망 점검에 나서는 등 사업경쟁력강화에속도를내고있다.
이회장은 26일(현지시간) 독일 오버코헨에 위치한 자이스(ZEISS) 본사를방문해칼람프레히트CEO 등경영진과양사협력강화방안을논의했다.
자이스는 첨단 반도체 생산에 필수적인 EUV(극자외선) 기술관련핵심특허를 2000개 이상 보유하고 있는 글로벌광학기업으로,반도체업계‘슈퍼 을’로 불리는 ASML의 EUV 장비에 탑재되는 광학 시스템을 독점 공급하고 있다. EUV 장비 1대에 들어가는 자이스부품은3만개이상으로전해진다.
이 회장은 자이스 경영진과 반도체핵심기술 트렌드 및양사의중장기기술로드맵에대해논의했으며,자이스의공장을방문해최신반도체부품및장비가 생산되는 모습을 직접 살펴봤다.이번회동으로삼성전자와자이스는파운드리와 메모리 사업 경쟁력 강화를위해향후 EUV 기술및첨단반도체장비관련분야에서의협력을 확대하기로했다.
삼성전자는 자이스와의기술 협력을통해차세대반도체의△성능개선△생산 공정 최적화 △수율 향상을 달성해사업 경쟁력을 끌어올릴 수 있을 것으로 기대된다. 삼성전자는 EUV 기술력을 바탕으로 파운드리시장에서3나노이하초미세공정시장을 주도하고,연내EUV 공정을 적용해 6세대 10나노급 D램을양산할계획이다.
자이스는 2026년까지 480억원을 투자해한국에 R&D 센터를 구축할 방침으로, 자이스가 한국 연구개발(R&D)거점을 마련함에 따라 양사의 전략적협력은한층강화될전망이다.
이회장의이번 행보는 장기불황 터널을 지난 반도체업계의 본격적인 ‘업턴(상승국면)’을 맞아 경쟁력을 확보하고전세계반도체1위를탈환하기위한행보로 풀이된다. 경계현 삼성전자 DS부문장(사장)은 지난달 정기주주총회에서“올해를 재도약의해로 삼아 향후2~3년 안에반도체세계1위 위상을 되찾겠다”고약속한바 있다.
특히삼성전자는 파운드리부문에서아직1위 TSMC와 점유율 격차가 크지만, 향후 3나노 이하초미세공정경쟁력을 보유한 삼성의 수혜가 확대될 것으로 예상된다. 삼성전자는 2022년 세계최초로 GAA(게이트올어라운드)기술을적용한 3나노양산에성공하는등기술력을바탕으로매출을확대하고있다.
시장조사업체옴디아에따르면파운드리 시장은 지난해 1044억 달러에서2026년 1538억 달러로 성장할 것으로전망되며, 이중 3나노 이하는 같은 기간 74억 달러에서 331억 달러로 확대될것으로관측된다.
삼성전자는 시스템반도체 분야에서확고한사업경쟁력을확보하기위한미래투자도지속하고있다.
지난해역대 최대 파운드리수주 잔고를 달성한 삼성전자는 △3나노 이하초미세공정 기술 우위 지속 △고객사다변화 △선제적 R&D 투자 △과감한국내외 시설 투자 △반도체 생태계 육성을 통해 파운드리 사업을 미래 핵심성장동력으로키워나가고 있다. 미국인공지능(AI) 반도체전문 기업암바렐라의5나노자율주행차량용반도체를생산하고 있으며 AI 스타트업 기업 그로크, 텐스토렌트의차세대 4나노 AI칩도생산할예정이다.
삼성전자는미래기술리더십확보를위한 R&D 투자도단행하고 있다. 2030년까지약 20조원을 투자해 기흥 사업장에‘차세대반도체R&D 단지’를 조성하고 있다. 해당 R&D 단지는미래반도체 기술을 선도하는 핵심 역할을 하게될전망이다.