Со­здан про­цес­сор на уг­ле­род­ных на­но­труб­ках

Otkrytye sistemy. SUBD. - - НОВОСТИ. ФАКТЫ. ТЕНДЕНЦИИ. -

Вме­сто крем­ни­е­вых по­лу­про­вод­ни­ко­вых эле­мен­тов в про­цес­со­ре, раз­ра­бо­тан­ном груп­пой уче­ных из МТИ и Ст­эн­форд­ско­го уни­вер­си­те­та, ис­поль­зу­ют­ся уг­ле­род­ные на­но­труб­ки и ячей­ки ре­зи­стив­ной па­мя­ти RRAM, за­пи­сы­ва­ю­щие ин­фор­ма­цию из­ме­не­ни­ем со­про­тив­ле­ния твер­до­го ди­элек­три­ка. В но­вом про­цес­со­ре свы­ше мил­ли­о­на яче­ек RRAM и два мил­ли­о­на по­ле­вых тран­зи­сто­ров на уг­ле­род­ных на­но­труб­ках. Это са­мая слож­ная из со­здан­ных на се­го­дняш­ний день на­но­элек­трон­ных си­стем. Ячей­ки RRAM и уг­ле­род­ные на­но­труб­ки рас­по­ла­га­ют­ся в про­цес­со­ре по­слой­но. Та­ким об­ра­зом, в от­ли­чие от тра­ди­ци­он­ной ар­хи­тек­ту­ры, опе­ра­тив­ная па­мять и вы­чис­ли­тель­ные бло­ки объ­еди­не­ны в од­ной схе­ме. Сверх­плот­ное раз­ме­ще­ние про­вод­ни­ков меж­ду сло­я­ми поз­во­ля­ет зна­чи­тель­но уско­рить об­мен дан­ны­ми. Для ил­лю­стра­ции воз­мож­но­стей но­вой тех­но­ло­гии ис­сле­до­ва­те­ли по­ме­сти­ли на по­верх­ность про­цес­со­ра до­пол­ни­тель­ный слой га­зо­вых дат­чи­ков, то­же со­сто­я­щих из уг­ле­род­ных на­но­тру­бок. Бла­го­да­ря но­вой ар­хи­тек­ту­ре про­цес­сор ока­зал­ся в со­сто­я­нии од­но­вре­мен­но ре­ги­стри­ро­вать и об­ра­ба­ты­вать дан­ные с мил­ли­о­на на­но­дат­чи­ков. Од­ним из важ­ней­ших пре­иму­ществ но­вой тех­но­ло­гии ис­сле­до­ва­те­ли счи­та­ют то, что она и по кон­струк­ции, и по тех­но­ло­гии из­го­тов­ле­ния сов­ме­сти­ма с со­вре­мен­ны­ми тех­но­ло­ги­я­ми на ос­но­ве ком­пле­мен­тар­ных ме­тал­ло­ок­сид­ных по­лу­про­вод­ни­ков.

Newspapers in Russian

Newspapers from Russia

© PressReader. All rights reserved.