«Луч» союзной наноэлектроники

Многие мировые корпорации сегодня делают ставку на твердотельную электронику: она определяет прогресс радиоэлектронной техники, приборостроения, медицины, экологии. Большое внимание развитию этого направления уделяется и в рамках научно-технических программ союзного государства. Работая в тесной кооперации, ученые ведущих научных центров и предприятий Беларуси и России выполняют программу «луч», которая стала стратегическим и логическим продолжением программы «Прамень». для решения приоритетных задач союзного государства в областях обороны и безопасности, инфотелекоммуникаций, безопасности промышленности и энергетики создаются единые стандартные технологии производства приборов и систем наноструктурной свч и оптоэлектроники, построенные на принципах «фаундри». Промышленное производство унифицированных высокотехнологичных, но экономически доступных изделий поможет защитить рынки Республики Беларусь и Российской Федерации от иностранных производителей и, в свою очередь, выйти на мировые рынки с современной конкурентной продукцией.

Приоритетной целью программы «Луч» является создание на основе общего научного, информационного и технологического пространства Союзного государства научно-технических, производственно-технологических и организационно-правовых разработок, необходимых для ликвидации угрозы отставания государств – участников Союзного государства от развитых стран мировой экономики в радиоэлектронном и оптоэлектронном приборостроении, и достижение их паритетного равенства.

При этом достижение такого паритета невозможно без создания современной компонентной базы электроники, являющейся той самой основой, которая обеспечивает наиболее передовые инновационные и конкурентные разработки электронных изделий в гражданской, оборонной и других сферах. Мощный импульс для развития радиоэлектронная промышленность получила после перехода к гетероструктурной электронике. Подтверждение тому – присуждение в 2000 году Ж.И. Алферову Нобелевской премии за разработку полупроводниковых гетероструктур, используемых в высокочастотных схемах и оптоэлектронике. Очень уж привлекательными оказались дополнительные свойства гетероструктур, обусловленные чередованием слоев с различным химическим составом, которые позволили сказать новое слово в приборном применении, в частности в изготовлении полупроводниковых лазеров на гетероструктурах.

Постепенно исследователи вплотную подошли к применению наноструктурированных материалов, в которых физические процессы, определяющие работу приборов, имеют квантовую природу. Толщина чередующихся слоев в гетероструктурах стала еще меньше: от единиц до нескольких десятков нанометров, стирались и границы перехода от слоя к слою – от 0,6 до 1,5 нм. Вот на такой высокотехнологичной компонентной базе наноструктурной электроники сегодня строятся наиболее передовые разработки электронных изделий различных сфер применения: связи, передачи данных, радиолокации, энергетики, экологии, медицины и т.д.

– В современном мире наноструктурная твердотельная электроника определяет тактико-технические свойства всех радиоэлектронных устройств и систем, и прежде всего систем специального назначения, – отметил заместитель директора по инновационной и научной работе Института физики им. Б.И. Степнова Виталий Плавский. – Именно поэтому не только изделия и технологии наноструктурной электроники, но и специализированное технологическое оборудование практически недоступно для импорта.

Еще одной причиной эмбарго, по словам ученого, является стремительно нарастающая тенденция изготовления аппаратурно-ориентированной СВЧ и оптоэлектронной компонентной базы на новых организационных